Nano-RAM (NRAM)
je proprietární typ paměti s přímým přístupem dat (obdobně jako RAM), vyvíjený společností Nantero. Na rozdíl od používaných psmětí RAM nepotřebuje ale pro uchování dat dodatečnou energii.

Stavba NRAM je tvořena uhlíkovými nanotrubičkami, jež jsou vsazeny mezi oblasti izolačního substrátu. Díky použití nanotechnologie dosahují velké kapacity paměti na velmi malém prostoru.
NRAM článek je složen z několika nanotrubiček, jež jsou zavěšeny mezi izolovanými ostrovy. Mezi izolovanými ostrovy a pod nanotrubičkami se nachází kovová elektroda.

Funkce paměti je založena na principu, kdy se uhlíkové nanotrubičky dotýkají nebo jsou  odděleny od rovinného povrchu elektrody, nad níž se nachází. Pohyb uhlíkových nanotrubiček je vertikální. Dochází k van der Waalsově interaci mezi elektrodou a nanotrubičkami (přitažlivé vazby mezi molekulami látky).
V klidovém stavu jsou nanotrubičky nataženy 13 nm nad kovovou elektrodou. Vzdálenosti mezi izolovanými ostrovy jsou 130 nm. Délka ostrovu je 100 nm. Na každém izolovaném ostrovu se nachází zlatý bod, jenž slouží jako mezipřechod mezi nanotrubičkami a vnější řídicí logikou.

Způsob zápisu/čtení :

Pro proces čtení se používá malá hodnota přiloženého napětí (1 V) mezi elektrodu a mezipřechod. Pokud se nanotrubičky nenachází v pozici blízko elektrody neprochází žádný proud. Tento stav představuje logickou hodnotu 0. Jestliže proud prochází , znamená to že nanotrubičky jsou dostatečně blízko elektrody (max. 5 nm)   a projevuje se kvantový jev – tunelování. Tento stav se považuje za logickou hodnotu 1.

Pro proces zápisu se používá větší hodnota přiloženého napětí (okolo 3,3 V) mezi dvě kovové elektrody. Tato napětí způsobí dostatečné přiblížení nanotrubiček ke kovové elektrodě. Pro změnu stavu stačí změnit polaritu zapisujícího napětí. Další možností je přiložit jedno velké přídavné napětí mezi elektrodu a mezipřechod, požadované paměťové buňky.

Nasazení této technologie v praxi by mohlo zcela nahradit používané paměti typu RAM i pevné disky. Nano-RAM v budoucnu dosáhnou mnohem větší hustoty kapacity paměti než je např. DRAM a bude mnohem levnější. Problémy výroby zatím představuje vysoká přesnost, která je omezena zavedenými technologiemi výroby křemíkových součástek. Dnešní stroje vytvářející epitaxní vrstvy nevykazují potřebnou přesnost výroby.

Společnost Nantero, která se vývojem této technologie zabývá má na svých stránkách názorné zobrazení funkce těchto pamětí a další informace.

Last modified: Sunday, 24 November 2019, 8:38 AM